سامسونگ اولین حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه را معرفی کرد

جدیدترین حافظه GDDR7 سامسونگ با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه، یک گزینه عالی برای کمک به گسترش بیشتر قابلیت‌ها در برنامه‌های کاربردی برای هوش مصنوعی، HPC و وسایل نقلیه خودرویی خواهد بود. از جمله بهبودهای GDDR7 شامل 1.4 برابر افزایش عملکرد و 20 درصد بهبود در بهر‌وری انرژی در مقایسه با مدل 24 گیگابیت بر ثانیه GDDR6 DRA موجود است.

میکرون حافظه گرافیکی نسل بعدی GDDR7 را 2024 معرفی می‌کند 

حافظه GDDR7 سکویی برای جهش در محاسبات گرافیکی

سامسونگ الکترونیک، به عنوان یکی از پیشرو‌های صنعت نیمه هادی، امروز اعلام کرد که توسعه اولین DRAM گرافیکی Double Rate 7 (GDDR7) در صنعت را به پایان رسانده است. این حافظه اولین بار در سیستم‌های نسل بعدی مشتریان اصلی این شرکت، در سال جاری نصب می‌شود، که باعث رشد آینده بازار گرافیک و تثبیت بیشتر رهبری فناوری سامسونگ در این زمینه خواهد شد.

سامسونگ پیش از این بر روی توسعه حافظه‌های DRAM GDDR6 با سرعت 24 گیگابیت در سال 2022 و ارائه GDDR7 با سرعت 16 گیگابیتی (Gb) به عنوان بالاترین سرعت تا پیش از این نیز کار کرده است. نوآوری‌ها در طراحی و بسته بندی مدار مجتمع (IC)، موجب پایداری بیشتر، علیرغم عملیات با سرعت بسیار بالا شده است.

آقای یونچو بی، معاون اجرایی برنامه‌ریزی محصولات سامسونگ در رابطه حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت بر ثانیه سامسونگ، گفت:

«DRAM GDDR7 ما به ارتقای تجربه‌های کاربر در زمینه‌هایی که نیاز به عملکرد گرافیکی فوق‌العاده دارند، مانند ایستگاه‌های کاری، رایانه‌های شخصی و کنسول‌های بازی کمک می‌کند و انتظار می‌رود که در برنامه‌های آینده مانند هوش مصنوعی، محاسبات با عملکرد بالا (HPC) و وسایل نقلیه خودرویی گسترش یابد. نسل بعدی DRAM گرافیکی مطابق با تقاضای صنعت به بازار عرضه خواهد شد و ما قصد داریم به رهبری خود در این فضا ادامه دهیم.”

GDDR7 سامسونگ به پهنای باند چشمگیر 1.5 ترابایت در ثانیه (TBps) دست می یابد که 1.4 برابر بیشتر از پهنای باند 1.1 ترابایت در ثانیه GDDR6 است و دارای سرعت افزایش یافته در هر پین تا 32 گیگابیت بر ثانیه است. این پیشرفت‌ها تنها با روش سیگنال‌دهی مدولاسیون دامنه پالس (PAM3) که برای استاندارد حافظه جدید به‌جای عدم بازگشت به صفر (NRZ) از نسل‌های قبلی اتخاذ شده است، ممکن می‌شود. فناوری PAM3 اجازه می‌دهد تا 50٪ داده‌های بیشتری نسبت به NRZ در یک چرخه سیگنالینگ منتقل شود.

این طراحی جدید به طور قابل توجهی، در مقایسه با GDDR6، برای صرفه‌جویی در مصرف انرژی در حین انجام عملیات با سرعت بالا بهینه شده است، که درنهایت منجر به 20 درصد کارآمدتر انرژی می‌شود. به صورت ویژه برای مواردی در آنها برق بسیار مهم است، مانند لپ‌تاپ‌ها، سامسونگ گزینه‌ای با ولتاژ پایین ارائه می‌دهد.

برای به حداقل رساندن تولید گرما، یک ترکیب قالب‌گیری اپوکسی (EMC) با هدایت حرارتی بالا برای مواد بسته‌بندی علاوه بر بهینه‌سازی معماری IC استفاده می‌شود. این پیشرفت‌ها به طور چشمگیری مقاومت حرارتی را تا 70 درصد در مقایسه با GDDR6 کاهش می‌دهند و به عملکرد پایدار محصول حتی در شرایطی با عملکردهای پرسرعت کمک می‌کنند.

مطالب مرتبط: